40 В MOSFET предлагает лучший в своем классе RDS(ON) для повышения эффективности

Для обеспечения более высокой эффективности и плотности мощности для промышленных приложений компания Vishay Intertechnology, Inc. представила новый 40-вольтовый силовой МОП-транзистор TrenchFET Gen V n-канального типа в корпусе PowerPAK 10×12 с лучшим в своем классе сопротивлением включения. По сравнению с конкурирующими устройствами в том же корпусе, Vishay Siliconix SiJK140E снижает сопротивление включения на 32%, обеспечивая при этом на 58% меньшее сопротивление включения, чем 40-вольтовые МОП-транзисторы в корпусе TO-263-7L.

При сопротивлении в открытом состоянии до 0,34 мОм (типично) при 10 В устройство минимизирует потери мощности от проводимости, повышая эффективность, одновременно улучшая тепловые характеристики с низким RthJC 0,21C/Вт (типично). Позволяя разработчикам использовать одно устройство вместо двух параллельно для достижения того же низкого сопротивления в открытом состоянии, устройство также повышает надежность и среднее время между отказами (MTBF).

MOSFET имеет конструкцию bond-wireless (BWL), которая минимизирует паразитную индуктивность, одновременно максимизируя токовую пропускную способность. В то время как решения TO-263-7L в корпусах bond-wired (BW) ограничены током 200 А, устройство обеспечивает непрерывный ток стока до 795 А для увеличения плотности мощности, обеспечивая при этом надежную возможность SOA. Занимая площадь 120 мм2, корпус PowerPAK 10×12 устройства экономит 27% пространства на печатной плате по сравнению с TO-263-7L, обеспечивая при этом на 50% более низкий профиль.

SiJK140E идеально подходит для синхронного выпрямления, переключения горячей замены и функциональности ИЛИ. Типичные области применения включают в себя управление приводом двигателя, электроинструменты, сварочное оборудование, плазменные режущие машины, системы управления аккумуляторами, робототехнику и 3D-принтеры. Стандартный уровень FET обеспечивает высокое пороговое напряжение 2,4 В, чтобы избежать проскока в этих продуктах. Соответствующий требованиям RoHS и не содержащий галогенов MOSFET прошел 100%-ное тестирование Rg и ​​UIS.