semitop2

MCC56-12IO1B Силовой модуль.

Поставка электронных компонентов в Ижевск

2.100,00 руб.

x 2.100,00 = 2.100,00
Артикул: 1092146 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.100,00руб.1.953,00руб.1.848,00руб.1.785,00руб.1.722,00руб.1.690,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.373,00руб.2.142,00руб.2.100,00руб.2.016,00руб.1.953,00руб.1.911,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.562,00руб.2.310,00руб.2.247,00руб.2.184,00руб.2.058,00руб.1.932,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.499,00руб.2.247,00руб.2.205,00руб.2.121,00руб.2.037,00руб.1.921,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.570,00руб.3.213,00руб.3.150,00руб.3.024,00руб.2.919,00руб.2.667,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.549,00руб.3.192,00руб.3.124,80руб.3.003,00руб.2.898,00руб.2.646,00руб.

Характеристики

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 600 В
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером ± 20 В
IC ток коллектора Tc = 20 (80) °C 54 (40) А
ICM максимальный ток коллектора tp < 1 мс, Ts = 25 (80) °C 108 (80) А
Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
CAL-диод
IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 64 (48) A
IFM = — ICM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 124 (96) A
Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
Tstg температура хранения — 40 … + 125 °C
Tsol температура пайки выводы, 10 сек. 260 °C
VISOL напряжение испытания изоляции действующее значение переменного напряжения, 50Гц, 1 минута/1 секунда 2500/3000 В
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 40 A, Tj = 25 (125) °C 1,7 (2,2) 2 (2,2) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 0,0007 А 3 4 5 В
Cies входная емкость при закороченном выходе VGE = 0, VCE = 0 В, f = 1 МГц 3 нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для IGBT 0,85 K/Вт
td(on) длительность задержки включения при следующих условиях: VCC = 300 В, VGE = ± 15В IC = 40 A Tj = 125 °C RGon = RGoff = 16 Ом индуктивная нагрузка 60 80 нс
tr время нарастания 30 40 нс
td(off) длительность задержки выключения 220 280 нс
tf время спада 20 26 нс
Eon+(Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) 1,8 2,4 мДж
CAL-диод
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IF = 50 A; Tj = 25 (125) °C 1,45 (1,4) 1,7 (1,75) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C (0,85) (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = (125) °C (11) (16) мОм
Rth(j-c) тепловое сопротивление 1,1 K/Вт
IRRM максимальный ток обратного восстановления при следующих условиях: IF = 50 A, VR = 300 В diF/dt = -1000 A/мкс VGE = 0В, Tj = 125 °C 40 A
Qrr заряд восстановления 3,6 мКл
Err рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления 0,55 мДж
Механические данные
M1 монтажный вращающий момент 2 Н · м
w масса 19 грамм
корпус SEMITOP 2 Т 31
IC — ток коллектора;
VGE — напряжение затвор-эмиттер;
VCE — напряжение коллектор-эмиттер;
VCC — напряжение питания коллектора-эмиттера;
RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
IF — номинальный прямой ток.