103

2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]

Поставка электронных компонентов в Ижевск

6,00 руб.

x 6,00 = 6,00
Артикул: 1122766 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней6,00руб.5,58руб.5,40руб.5,28руб.4,92руб.4,80руб.4,68руб.4,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней10,86руб.9,96руб.9,78руб.9,54руб.8,88руб.8,70руб.8,46руб.7,62руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней14,04руб.12,96руб.12,66руб.12,36руб.11,52руб.11,22руб.10,98руб.9,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней7,20руб.6,60руб.6,48руб.6,30руб.5,88руб.5,76руб.5,58руб.5,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней13,86руб.12,78руб.12,48руб.12,18руб.11,82руб.11,40руб.10,80руб.9,72руб.

Характеристики

2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]NPN транзисторы разработаны для высоковольтных усилителей общего применения и драйверов газоразрядных дисплеев.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 В
Напряжение эмиттер-база 6 В
Рабочие частоты: 100 – 300 МГц
Выходная емкость 6 пФ
Шум (слабосигнальные цепи) 8 дБ
Расположение выводов (слева направо): коллектор-база-эмиттер

Дополнительная информация

Корпус

to-92
Структура

npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.35