30a00b99b80f16546a06b25bbe29d58d

Микросхема 93LC46B-I/P, Последовательная энергонезависимая память, [DIP-8]

Поставка электронных компонентов в Ижевск

36,26 руб.

x 36,26 = 36,26
Артикул: 1100236 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней36,26руб.33,72руб.32,63руб.31,91руб.29,73руб.29,01руб.28,28руб.26,11руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней65,63руб.60,19руб.59,10руб.57,65руб.53,66руб.52,58руб.51,13руб.46,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней84,85руб.78,32руб.76,51руб.74,70руб.69,62руб.67,81руб.66,36руб.59,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней43,51руб.39,89руб.39,16руб.38,07руб.35,53руб.34,81руб.33,72руб.30,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней83,76руб.77,23руб.75,42руб.73,61руб.71,43руб.68,89руб.65,27руб.58,74руб.

Характеристики

93LC46B-I/P, Последовательная энергонезависимая память, [DIP-8]The 93LC46B-I/P is a 1kB MICROWIRE compatible serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) with word-selectable devices such as the 93AA46C, 93LC46C or 93C46C are dependent upon external logic levels driving the ORG pin to set word size. The 93C46B device provides dedicated 16-bit communication. Advanced CMOS technology makes this device ideal for low-power, nonvolatile memory applications.

• Low-power CMOS technology
• Self-timed erase/write cycles
• Automatic erase all (ERAL) before write all (WRAL)
• Power ON/OFF data protection circuitry
• Industry standard 3-wire serial I/O
• Device status signal
• Sequential read function
• 1000000 Erase/write cycles
• Data retention >200 years