bsm25gd120dn2e3224

Силовой модуль IGBT BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Поставка электронных компонентов в Ижевск

16.100,00 руб.

x 16.100,00 = 16.100,00
Артикул: 1085686 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №110-12 дней16.100,00руб.14.973,00руб.14.168,00руб.13.685,00руб.13.202,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №210-12 дней19.642,00руб.17.066,00руб.15.939,00руб.15.295,00руб.13.524,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №37 дней21.252,00руб.20.125,00руб.19.159,00руб.18.032,00руб.15.939,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №410 дней19.159,00руб.18.193,00руб.17.227,00руб.16.261,00руб.14.329,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №510-12 дней17.871,00руб.16.905,00руб.15.939,00руб.15.134,00руб.13.363,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №66 дней22.218,00руб.21.091,00руб.19.964,00руб.18.837,00руб.16.744,00руб.

Характеристики

Manufacturer Infineon Technologies
Series —
Part Status Active
IGBT Type —
Configuration Three Phase Inverter
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Current — Collector (Ic) (Max) 35A
Power — Max 200W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Current — Collector Cutoff (Max) 800µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
Input Standard
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Module
Supplier Device Package Module

Описание

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 — IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 35A 200W Chassis Mount Module

IGBT модули BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Дополнительная информация

Бренд

Infineon