375285

GD10PJK120L1S IGBT Module

Поставка электронных компонентов в Ижевск

3.150,00 руб.

x 3.150,00 = 3.150,00
Артикул: 1176889 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней3.150,00руб.2.929,50руб.2.772,00руб.2.677,50руб.2.583,00руб.2.535,75руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней3.559,50руб.3.213,00руб.3.150,00руб.3.024,00руб.2.929,50руб.2.866,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней3.843,00руб.3.465,00руб.3.370,50руб.3.276,00руб.3.087,00руб.2.898,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней3.748,50руб.3.370,50руб.3.307,50руб.3.181,50руб.3.055,50руб.2.882,25руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней5.355,00руб.4.819,50руб.4.725,00руб.4.536,00руб.4.378,50руб.4.000,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней5.323,50руб.4.788,00руб.4.687,20руб.4.504,50руб.4.347,00руб.3.969,00руб.

Характеристики

GD10PJK120L1S оригинальный IGBT/DC-DC изоляционный силовой модуль/электронный компонент
GD10PJK120L1S IGBT Module
GD10PJK120L1S IGBT Module
DIODE-rectifier TC=25℃ unless otherwise noted
Maximum Rated Values
Symbol Description GD10PJK120L1S Units
VRRM Collector-Emitter Voltage @ Tj=25℃ 1600 V
IF(AV) Average On-state Current @ TC=100℃ 12 A
I RMSM
Maximum RMS Current at Rectifier Output
@ TC=80℃ 25 A
IFSM Surge Forward Current VR=0V,tp=10ms,Tj=45℃ 150 A
t-value,VR=0V,tp=10ms,Tj=150℃ 250 A2
Characteristics Values
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units
Tj=25℃ 1.11
VF
Diode Forward
Voltage
IF=7A
Tj=150℃ 1.01
V
IR Reverse Current Tj=150℃,VR=1600V 0.7 mA