1e402c68-3f5b-4d5c-aed4-a579cf67650e

Модуль FZ1800R12KL4C

Поставка электронных компонентов в Ижевск

42.100,00 руб.

FZ1800R12 — IGBT Module 1800A 1200V

x 42.100,00 = 42.100,00
Артикул: 1186735 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №110-12 дней42.100,00руб.39.153,00руб.37.048,00руб.35.785,00руб.34.522,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №210-12 дней51.362,00руб.44.626,00руб.41.679,00руб.39.995,00руб.35.364,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №37 дней55.572,00руб.52.625,00руб.50.099,00руб.47.152,00руб.41.679,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №410 дней50.099,00руб.47.573,00руб.45.047,00руб.42.521,00руб.37.469,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №510-12 дней46.731,00руб.44.205,00руб.41.679,00руб.39.574,00руб.34.943,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт30шт100шт250шт
Склад №66 дней58.098,00руб.55.151,00руб.52.204,00руб.49.257,00руб.43.784,00руб.

Характеристики

Продукт IGBT Silicon Modules
Конфигурация Triple Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2850 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Рассеяние мощности 11.4 KW
Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM190
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура — 40 C
Вид монтажа SMD/SMT