24

Силовой модуль IGBT SEMIX302GB126HDS

Поставка электронных компонентов в Ижевск

10.381,00 руб.

x 10.381,00 = 10.381,00
Артикул: 1086649 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Ижевск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней10.381,00руб.9.654,33руб.9.135,28руб.8.823,85руб.8.512,42руб.8.356,71руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней11.730,53руб.10.588,62руб.10.381,00руб.9.965,76руб.9.654,33руб.9.446,71руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней12.664,82руб.11.419,10руб.11.107,67руб.10.796,24руб.10.173,38руб.9.550,52руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней12.353,39руб.11.107,67руб.10.900,05руб.10.484,81руб.10.069,57руб.9.498,62руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней17.647,70руб.15.882,93руб.15.571,50руб.14.948,64руб.14.429,59руб.13.183,87руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней17.543,89руб.15.779,12руб.15.446,93руб.14.844,83руб.14.325,78руб.13.080,06руб.

Характеристики

IGBT MODULE, 2X1200V; Transistor Type:Dual Trench IGBT; Current, Ic Continuous a Max:300A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Case Style:SEMiX 2s; Current, Ic av:300A; Current, Icm Pulsed:400A; Current, Ifs Max:1300A; Time, Rise:100ns; Voltage, Vceo:1.2V; Voltage, Vrrm:1200V

Дополнительная информация

Бренд

Semikron